GB/T 8761-1988 氧化钇、氧化铕粒度分布测定 光透沉降法
适用范围 暂无 基本信息 标准号:GB/T 8761-1988 标准名称:氧化钇、氧化铕粒度分布测定 光透沉降法 英文名称:Determination of particle size distribution of yttrium oxi...
适用范围 暂无 基本信息 标准号:GB/T 8761-1988 标准名称:氧化钇、氧化铕粒度分布测定 光透沉降法 英文名称:Determination of particle size distribution of yttrium oxi...
适用范围 本标准适用于位错密度为(0~100 000)个/cm2 的砷化镓单晶的位错密度的测量。检测面为{111}面和{100}面。 基本信息 标准号:GB/T 8760-2006 标准名称:砷化镓单晶位错密度的测量方法 英文名称:Gal...
适用范围 暂无 基本信息 标准号:GB/T 8760-1988 标准名称:砷化镓单晶位错密度的测量方法 英文名称:Gallium arsenide single crystal—Determination of dislocation de...
适用范围 本标准适用于砷化镓外延片外延层厚度的测量,测量厚度大于2μm。要求衬底材料的电阻率小于0.02Ω·cm,外延层的电阻率大于0.1Ω·cm。 基本信息 标准号:GB/T 8758-2006 标准名称:砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法...
适用范围 暂无 基本信息 标准号:GB/T 8758-1988 标准名称:砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法 英文名称:Measuring thickness of epitaxial layers of gallium arsenide b...
适用范围 本标准适用于掺杂砷化镓单晶中载流子浓度的测量。测量范围: n-GaAs 1.0×10 17 cm -3~1.0×10 19 cm -3 p-GaAs 2.0×10 18 cm -3~1.0×10 20 cm -3 基本信息 标...
适用范围 暂无 基本信息 标准号:GB/T 8756-1988 标准名称:锗晶体缺陷图谱 英文名称:Collection of metallographs on defects of crystalline germanium 标准状态:现...
适用范围 暂无 基本信息 标准号:GB/T 8755-1988 标准名称:钛及钛合金术语金相图谱 英文名称:Collection of metallographs on titanium and titanium alloy terms 标...
适用范围 本标准规定了用击穿电位法测定铝及铝合金阳极氧化膜的绝缘性。 本标准适用于以绝缘性能为目的和以击穿电位原理制定工艺规范的阳极氧化膜。 注1: 本标准一般仅适用于封孔和干燥后的阳极氧化膜,不适用于涂漆或其他覆盖层。 注2: 本方...
适用范围 暂无 基本信息 标准号:GB/T 8754-1988 标准名称:铝及铝合金阳极氧化 应用击穿电位测定法检验绝缘性 英文名称:Anodizing of aluminium and aluminium alloys—Insulatio...