标签：国家标准

2020-09-11

适用范围 本标准规定了以三氯氢硅和四氯化硅为原料在还原炉内用氢气还原出的硅多晶棒的断面夹层化学腐蚀检验方法。 本标准关于断面夹层的检验适用于以三氯氢硅和四氯化硅为原料，以细硅芯为发热体，在还原炉内用氢气还原沉积生长出来的硅多晶棒。 基本信...

2020-09-11

适用范围 暂无 基本信息 标准号：GB/T 4061-1983 标准名称：硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法 英文名称：Polycrystalline silicon—Examination method—Assessment of sandw...

2020-09-11

适用范围 本标准规定了多晶硅中基硼含量的测试方法。本标准适用于在硅芯上沉积生长的多晶硅棒中基硼含量的测定。基硼含量（原子数）测定范围为0.01×1013 cm－3～5×1015 cm－3。 基本信息 标准...

2020-09-11

适用范围 本标准适用于多晶硅沉积在硅芯上生长的多晶硅棒基硼的检验。 本标准检测杂质浓度有效范围：0.002×10-9～100×10-9。 基本信息 标准号：GB/T 4060-2007 标准名称：硅多晶真空区熔基硼检验方法 英文名称：Po...

2020-09-11

适用范围 暂无 基本信息 标准号：GB/T 4060-1983 标准名称：硅多晶真空区熔基硼检验方法 英文名称：Polycrystalline silicon—Examination method—Vacuum zone-melting o...

2020-09-11

适用范围 本标准适用于多晶硅沉积在硅芯上生长的多晶硅棒基磷的检验。 本标准检测杂质浓度的有效范围：0.002×10-9~100×10-9。 基本信息 标准号：GB/T 4059-2007 标准名称：硅多晶气氛区熔基磷检验方法 英文名称：P...

2020-09-11

适用范围 暂无 基本信息 标准号：GB/T 4059-1983 标准名称：硅多晶气氛区熔磷检验方法 英文名称：Polycrystalline silicon—Examination method—Zone-melting on phosph...

2020-09-11

适用范围 本标准规定了硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法。 本标准适用于硅抛光片表面区在模拟器件氧化工艺中诱生或增强的晶体缺陷的检测。 硅单晶氧化诱生缺陷的检验也可参照此方法。 基本信息 标准号：GB/T 4058-2009 标准名称：硅抛...

2020-09-11

适用范围 暂无 基本信息 标准号：GB/T 4058-1995 标准名称：硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 英文名称：Test method for detection of oxidation induced defects in poli...

2020-09-11

适用范围 本标准适用于盘形和长棒形绝缘子串元件及其金属附件。 基本信息 标准号：GB/T 4056-2008 标准名称：绝缘子串元件的球窝连接尺寸 英文名称：Ball and socket coupling dimensions of st...