GB/T 35010.1-2018 半导体芯片产品 第1部分:采购和使用要求
适用范围 GB/T 35010的本部分用于指导半导体芯片产品的生产、供应和使用,半导体芯片产品包括:●〓晶圆;●〓单个裸芯片;●〓带有互连结构的芯片和晶圆;●〓小尺寸或部分封装的芯片和晶圆。本部分定义了此类芯片产品所需数据的最低要...
适用范围 GB/T 35010的本部分用于指导半导体芯片产品的生产、供应和使用,半导体芯片产品包括:●〓晶圆;●〓单个裸芯片;●〓带有互连结构的芯片和晶圆;●〓小尺寸或部分封装的芯片和晶圆。本部分定义了此类芯片产品所需数据的最低要...
适用范围 本标准规定了串行与非(NAND)型快闪存储器(以下称为器件)的物理接口、存储阵列架构、指令定义和参数表说明等。本标准适用于串行NAND型快闪存储器的设计和使用。 基本信息 标准号:GB/T 35009-2018 标准名称:串行...
适用范围 本标准规定了串行或非(NOR)型快闪存储器(以下称为器件)的物理接口、存储阵列架构、指令定义和参数表说明等。本标准适用于地址为24位的串行NOR型快闪存储器的设计和使用。 基本信息 标准号:GB/T 35008-2018 标准...
适用范围 本标准规定了半导体集成电路 低电压差分信号(LVDS,low voltage differential signaling)电路(以下称为“器件”)静态参数、动态参数测试方法的基本原理。本标准适用于低电压差分信号电路静态参数、动...
适用范围 本标准规定了半导体集成电路电平转换器(以下称为器件)功能、静态参数和动态参数的测试方法。本标准适用于半导体集成电路电平转换器功能、静态参数和动态参数的测试。 基本信息 标准号:GB/T 35006-2018 标准名称:半导体集...
适用范围 本标准规定了非易失性存储器耐久和数据保持试验的方法。本标准适用于电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、快闪存储器(Flash)以及内嵌上述存储器的集成电路(以下简称器件)。 基本信息 标准号:GB/T 35003-2018...
适用范围 本标准适用于有关粉末冶金的术语。粉末冶金系冶金和材料科学的一个分支,它涉及到金属粉末制取,以及通过成形和烧结将金属粉末与(或不与)非金属粉末添加剂的混合物制成制品。 基本信息 标准号:GB/T 3500-2008 标准名称:粉末冶...
适用范围 暂无 基本信息 标准号:GB/T 3500-1998 标准名称:粉末冶金术语 英文名称:Powder metallurgy—Vocabulary 标准状态:被代替 发布日期:1998-07-15 实施日期:1999-02-01 出...
适用范围 本标准规定了噪声源主要电参数的测试方法。本标准适用于噪声源的电参数测试。 基本信息 标准号:GB/T 35001-2018 标准名称:微波电路 噪声源测试方法 英文名称:Microwave circuits—Measuring...
适用范围 本标准规定了广播中心数字音频录制系统技术要求和测量方法。对于能够确保同样测量精度的任何等效测量方法也可以采用,有争议时应以本标准为准。本标准适用于广播中心数字音频录制系统的设计、测量、维护和验收。 基本信息 标准号:GB/T ...