【今日观点】 《数据法案》:标准化请求获CEN和CENELEC正式受理
7月7日,欧洲标准化委员会(CEN)和欧洲电工标准化委员会(CENELEC)根据M/614号授权,正式受理了欧盟委员会关于欧洲可信数据框架的标准化请求。这一里程碑事件为将于2025年9月12日生效的《欧盟数据法案》的实施提供了支持。 这项复...
标准20257月7日,欧洲标准化委员会(CEN)和欧洲电工标准化委员会(CENELEC)根据M/614号授权,正式受理了欧盟委员会关于欧洲可信数据框架的标准化请求。这一里程碑事件为将于2025年9月12日生效的《欧盟数据法案》的实施提供了支持。 这项复...
适用范围 GB/T 24583的本部分规定了硫酸亚铁铵滴定法测定钒含量。本部分适用于钒氮合金中钒含量的测定。测定范围(质量分数):≥60.00%。 基本信息 标准号:GB/T 24583.1-2009 标准名称:钒氮合金 钒含量的测定 硫酸...
适用范围 1.1 本标准规定了用酸从多晶硅块表面浸取金属杂质,并用电感耦合等离子质谱仪定量检测多晶硅表面上的金属杂质痕量分析方法。 1.2 本标准适用于碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、钾、钙、铁、镍、铜、锌以及其他元素如铝的检测。...
适用范围 2.1 本标准适用于检测硅单晶中的电活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、铝(Al)、锑(Sb)和镓(Ga)的含量。2.2 本标准所适用的硅中每一种电活性元素杂质或掺杂剂浓度范围为(0.01×10 -9~5.0×10 -9)a。...
适用范围 1.1本标准规定了重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱测试方法。本标准适用于二次离子质谱法(SIMS)对重掺n型硅衬底单晶体材料中痕量硼沾污(总量)的测试。 1.2本标准适用于对锑、砷、磷的掺杂浓度<0.2%(1×1020 at...
适用范围 1.1本标准规定了用酸从多晶硅块表面浸取金属杂质,并用石墨炉原子吸收定量检测多晶硅块表面上的痕量金属杂质分析方法。 1.2本标准适用于碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、铝、铁、铬、镍、锌的检测。 1.3本标准适用于各种棒...
适用范围 1.1 本标准规定了使用全反射X光荧光光谱定量测定硅抛光衬底表面层的元素面密度的方法。本标准适用于硅单晶抛光片、外延片(以下称硅片)尤其适用于硅片清洗后自然氧化层或经化学方法生长的氧化层中沾污元素面密度的测定测定范围为109 at...
适用范围 1.1 本标准规定了硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法,本方法使用单色X光源全反射X光荧光光谱的方法定量测定硅单晶抛光衬底表面层的元素面密度。1.2 本标准适用于N型和P型硅单晶抛光片、外延片等镜面抛光的硅片,尤其适用于...
适用范围 1.1 本标准规定了硅片表面的有机污染物的定性和定量方法,采用气质联用仪或磷选择检测器或者两者同时采用。1.2 本标准描述了热解吸气相色谱仪(TD-GC)以及有关样品制备和分析的相关程序。 基本信息 标准号:GB/T 24577-...
适用范围 本标准规定了用高分辨X射线衍射测量GaAs衬底上AlGaAs外延层中Al含量的试验方法。 本方法适用于在未掺杂GaAs衬底<001>方向上生长的AlGaAs外延层中Al含量的测定,使用本方法测量Al元素含量时,AlG...
适用范围 1. 本标准规定了硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法。本标准适用于用二次离子质谱法(SIMS)检测镜面抛光单晶硅片和外延片表面的Na、Al、K和Fe每种金属总量。本标准测试的是每种金属的总量,因此该方法与各金...