GB/T 4937.22-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第22部分:键合强度
适用范围 GB/T 4937的本部分适用于半导体器件(分立器件和集成电路)。 本部分的目的是测量键合强度或确定键合强度是否满足规定的要求。 基本信息 标准号:GB/T 4937.22-2018 标准名称:半导体器件 机械和气候试验方法 第...
适用范围 GB/T 4937的本部分适用于半导体器件(分立器件和集成电路)。 本部分的目的是测量键合强度或确定键合强度是否满足规定的要求。 基本信息 标准号:GB/T 4937.22-2018 标准名称:半导体器件 机械和气候试验方法 第...
适用范围 本部分适用于半导体器件的低气压试验。本项试验的目的是测定元器件和材料避免电击穿失效的能力,而这种失效是由于气压减小时,空气和其他绝缘材料的绝缘强度减弱所造成的。本项试验仅适用于工作电压超过1 000 V的器件。 本项试验适用于所...
适用范围 GB/T 4937的本部分规定了采用铅锡焊料或无铅焊料进行焊接的元器件封装引出端的可焊性试验程序。 本试验方法规定了通孔、轴向和表面安装器件(SMDs)的“浸入和观察”可焊性试验程序,以及可选的SMDs板级安装可焊性试验程序,用...
适用范围 GB/T 4937的本部分用来确定将半导体芯片安装在管座或其他基板上所使用的材料和工艺步骤的完整性(基于本试验方法的目的,本部分中半导体芯片包括无源元件)。本部分适用于空腔封装,也可作为过程监测。不适用于面积大于10 mm2的芯...
适用范围 GB/T 4937的本部分是为了测定半导体器件在中子环境中性能退化的敏感性。本部分适用于集成电路和半导体分立器件。中子辐照主要针对军事或空间相关的应用,是一种破坏性试验。试验目的如下:a)〓检测和测量半导体器件关键参数的退化与...
适用范围 GB/T 4937的本部分规定了耐焊接热的试验方法,以确定通孔安装的固态封装器件承受波峰焊或烙铁焊接引线时产生的热应力的能力。 为制定具有可重复性的标准试验程序,选用试验条件较易控制的浸焊试验方法。本程序为确定器件组装到电路板时...
适用范围 GB/T 4937的本部分规定了几种不同的试验方法,用来测定引线/封装界面和引线的牢固性。当电路板装配错误造成引线弯曲,为了重新装配对引线再成型加工时,进行此项试验。对于气密封装器件,建议在本试验之后按IEC 60749-8进行密...
适用范围 GB/T 4937的本部分规定了半导体器件的盐雾试验方法,以确定半导体器件耐腐蚀的能力。本试验是模拟严酷的海边大气对器件暴露表面影响的加速试验。适用于工作在海上和沿海地区的器件。 本试验是破坏性试验。 本试验总体上符合IEC ...
适用范围 GB/T 4937的本部分的目的是测定在规定频率范围内,振动对器件的影响。本试验是破坏性试验,通常用于有空腔的器件。本试验与GB/T 2423.10-2008基本一致,但鉴于半导体器件的特殊要求,采用本部分的条款。 基本信息 ...
适用范围 本部分适用于半导体器件(分立器件和集成电路)并为GB/T 4937系列的其他部分建立通用准则。 当本部分与相应的详细规范有矛盾时,以详细规范为准。 基本信息 标准号:GB/T 4937.1-2006 标准名称:半导体器件 机械...