GB/T 6618-2009 硅片厚度和总厚度变化测试方法
适用范围 本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片和外延片(简称硅片)厚度和总厚度变化的分立式和扫描式测量方法。本标准适用于符合GB/T 12964、GB/T 12965、GB/T 14139规定的尺寸的硅片的厚度和总厚度变化的测量。在测试...
适用范围 本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片和外延片(简称硅片)厚度和总厚度变化的分立式和扫描式测量方法。本标准适用于符合GB/T 12964、GB/T 12965、GB/T 14139规定的尺寸的硅片的厚度和总厚度变化的测量。在测试...
适用范围 暂无 基本信息 标准号:GB/T 6618-1995 标准名称:硅片厚度和总厚度变化测试方法 英文名称:Test method for thickness and total thickness variation of sili...
适用范围 本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。 本标准适用于测量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量衬底同型或反型的硅片外延层的电阻率,测量范围:10-3 Ω·cm~102 Ω·cm。 基本信息 标准号:GB/T 6617...
适用范围 暂无 基本信息 标准号:GB/T 6617-1995 标准名称:硅片电阻率测定 扩展电阻探针法 英文名称:Test method for measuring resistivity of silicon wafers using ...
适用范围 本标准规定了用非接触涡流测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法。 本标准适用于测量直径或边长大于25 mm、厚度为0.1 mm~1 mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片(简称硅片)的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时,...
适用范围 暂无 基本信息 标准号:GB/T 6616-1995 标准名称:半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法 英文名称:Test method for measuring resistivity of semiconduct...
适用范围 本标准规定了钛及钛合金铸件的订货说明、技术要求、试验方法和检验规则,以及标志、包装、运输和贮存等要求。 本标准适用于机加石墨型、捣实型、金属型和熔模精铸型生产的钛及钛合金铸件。 基本信息 标准号:GB/T 6614-2014 标...
适用范围 暂无 基本信息 标准号:GB/T 6614-1994 标准名称:钛及钛合金铸件 英文名称:Titanium and titanium alloy castings 标准状态:被代替 发布日期:1994-05-09 实施日期:199...
适用范围 本标准规定了化学试剂中六水合硫酸铁(Ⅱ)铵的性状、规格、试验、检验规则和包装及标志。 本标准适用于化学试剂中六水合硫酸铁(Ⅱ)铵的检验。 基本信息 标准号:GB/T 661-2011 标准名称:化学试剂 六水合硫酸铁(Ⅱ)铵(...
适用范围 本标准规定了钛及钛合金术语,并提供了部分术语金相照片。 本标准适用于钛及钛合金。 本标准不适用于钛及钛合金产品的验收。 基本信息 标准号:GB/T 6611-2008 标准名称:钛及钛合金术语和金相图谱 英文名称:Terminol...