GB/T 35012-2018 临氢设备用铬钼合金钢钢板
适用范围 本标准规定了临氢设备用铬钼合金钢钢板的订货内容、牌号表示方法、尺寸、外形、重量及允许偏差、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志和质量证明书等。 本标准适用于制造石油化工和煤化工等临氢设备用厚度为6 mm~200 mm的铬钼合...
适用范围 本标准规定了临氢设备用铬钼合金钢钢板的订货内容、牌号表示方法、尺寸、外形、重量及允许偏差、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志和质量证明书等。 本标准适用于制造石油化工和煤化工等临氢设备用厚度为6 mm~200 mm的铬钼合...
适用范围 暂无 基本信息 标准号:GB/T 3501-1983 标准名称:超细水合二氧化钌粉技术条件 英文名称:Technical requirements of superfine ruthenium dioxide hydrate po...
适用范围 GB/T 35010的本部分用于指导半导体芯片产品的生产、供应和使用。其中半导体芯片产品包括:●〓晶圆;●〓单个裸芯片;●〓带有互连结构的芯片和晶圆;●〓最小或部分封装的芯片和晶圆。本部分规定了数据交换所需元素的EXPR...
适用范围 GB/T 35010的本部分用于指导半导体芯片产品的生产、供应和使用。其中半导体芯片产品包括:–晶圆;–单个裸芯片;–带有互连结构的芯片与晶圆;–最小或部分封装的芯片与晶圆。...
适用范围 GB/T 35010的本部分用于指导半导体芯片产品的生产、供应和使用,半导体芯片产品包括:●〓晶圆;●〓单个裸芯片;●〓带有互连结构的芯片和晶圆;●〓最小或部分封装的芯片和晶圆。本部分规定了所需的热仿真信息,在于促进电子...
适用范围 GB/T 35010的本部分用于指导半导体芯片产品的生产、供应和使用,半导体芯片产品包括:●〓晶圆;●〓单个裸芯片;●〓带有互连结构的芯片和晶圆;●〓最小或部分封装的芯片和晶圆。本部分规定了所需的电仿真信息,目的在于促进...
适用范围 GB/T 35010的本部分用于指导半导体芯片产品的生产、供应和使用,半导体芯片产品包括:●〓晶圆;●〓单个裸芯片;●〓带有互连结构的芯片和晶圆;●〓小尺寸或部分封装的芯片和晶圆。本部分定义了此类芯片产品所需数据的最低要...
适用范围 本标准规定了串行与非(NAND)型快闪存储器(以下称为器件)的物理接口、存储阵列架构、指令定义和参数表说明等。本标准适用于串行NAND型快闪存储器的设计和使用。 基本信息 标准号:GB/T 35009-2018 标准名称:串行...
适用范围 本标准规定了串行或非(NOR)型快闪存储器(以下称为器件)的物理接口、存储阵列架构、指令定义和参数表说明等。本标准适用于地址为24位的串行NOR型快闪存储器的设计和使用。 基本信息 标准号:GB/T 35008-2018 标准...
适用范围 本标准规定了半导体集成电路 低电压差分信号(LVDS,low voltage differential signaling)电路(以下称为“器件”)静态参数、动态参数测试方法的基本原理。本标准适用于低电压差分信号电路静态参数、动...