GB/T 14142-1993 硅外延层晶体完整性检查方法 腐蚀法
适用范围 暂无 基本信息 标准号:GB/T 14142-1993 标准名称:硅外延层晶体完整性检查方法 腐蚀法 英文名称:Test method for crystallographic perfection of epitaxial la...
适用范围 暂无 基本信息 标准号:GB/T 14142-1993 标准名称:硅外延层晶体完整性检查方法 腐蚀法 英文名称:Test method for crystallographic perfection of epitaxial la...
适用范围 本标准规定了普通螺纹的管路系列。螺纹的公称直径范围为8 mm~170 mm。 本标准适用于一般用途的管路系统,其螺纹本身不具有密封功能。 基本信息 标准号:GB/T 1414-2013 标准名称:普通螺纹 管路系列 英文名称:...
适用范围 本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。 本标准适用于测量直径大于15.9 mm的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度...
适用范围 暂无 基本信息 标准号:GB/T 14141-1993 标准名称:硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法 英文名称:Test method for sheet resistance of silicon epit...
适用范围 本标准规定了用光学投影仪测量硅片直径的方法。本标准适用于测量圆形硅片的直径,可测最大直径为300 mm。本标准不适用于测量硅片的不圆度。 基本信息 标准号:GB/T 14140-2009 标准名称:硅片直径测量方法 英文名称:T...
适用范围 暂无 基本信息 标准号:GB/T 14140.2-1993 标准名称:硅片直径测量方法 千分尺法 英文名称:Silicon slices and wafers—Measuring of diameter—Micrometer me...
适用范围 暂无 基本信息 标准号:GB/T 14140.1-1993 标准名称:硅片直径测量方法 光学投影法 英文名称:Silicon slices and wafers—Measuring of diameter—Optical proj...
适用范围 本标准规定了硅外延片的牌号和分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。 本标准适用于在直径不大于150 mm的N型和P型硅抛光片衬底上生长的硅外延片。 基本信息 标准号:GB/T ...
适用范围 本标准规定了硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法和检验规则及标志、包装运输、贮存等。本标准适用于在N型硅抛光片衬底上生长的n型外延层(N/N+)和在p型硅抛光片衬底上生长的P型外延层(P/P+)的同质硅外延片。产品主要用于制作硅...
适用范围 暂无 基本信息 标准号:GB/T 14139-1993 标准名称:硅外延片 英文名称:Silicon epitaxial wafers 标准状态:被代替 发布日期:1993-02-06 实施日期:1993-10-01 出版语种:中...