冶金 第378页

2020-08-24

适用范围 本标准规定了硅外延层载流子浓度汞探针电容-电压测量方法。本标准测试的硅外延层的厚度必须大于测试偏压下耗尽层的深度。本标准也可适用于硅抛光片的载流子浓度测量。 基本信息 标准号：GB/T 14146-2009 标准名称：硅外延层载流...

2020-08-24

适用范围 暂无 基本信息 标准号：GB/T 14146-1993 标准名称：硅外延层载流子浓度测定　汞探针电容-电压法 英文名称：Silicon epitaxial layers—Determination of carrier conce...

2020-08-24

适用范围 暂无 基本信息 标准号：GB/T 14145-1993 标准名称：硅外延层堆垛层错密度测定　干涉相衬显微镜法 英文名称：Test method for stacking fault density of epitaxial lay...

2020-08-24

适用范围 本标准采用红外光谱法测定硅晶体中间隙氧含量径向的变化。本标准需要用到无氧参比样品和一套经过认证的用于校准设备的标准样品。 本标准适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5　Ω·cm的p型硅单晶中间隙氧...

2020-08-24

适用范围 暂无 基本信息 标准号：GB/T 14144-1993 标准名称：硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法 英文名称：Test method for determination of radial interstitial oxygen...

2020-08-24

适用范围 暂无 基本信息 标准号：GB/T 14142-1993 标准名称：硅外延层晶体完整性检查方法　腐蚀法 英文名称：Test method for crystallographic perfection of epitaxial la...

2020-08-24

适用范围 暂无 基本信息 标准号：GB/T 14143-1993 标准名称：300～900μm硅片间隙氧含量红外吸收测量方法 英文名称：300～900μm Silicon slices—Measuring of interstitial o...

2020-08-24

适用范围 本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。 本标准适用于测量直径大于15.9 mm的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度...

2020-08-24

适用范围 暂无 基本信息 标准号：GB/T 14141-1993 标准名称：硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定　直排四探针法 英文名称：Test method for sheet resistance of silicon epit...

2020-08-24

适用范围 本标准规定了用光学投影仪测量硅片直径的方法。本标准适用于测量圆形硅片的直径，可测最大直径为300 mm。本标准不适用于测量硅片的不圆度。 基本信息 标准号：GB/T 14140-2009 标准名称：硅片直径测量方法 英文名称：T...