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电子元器件与信息技术 第87页

GB/T 35086-2018 MEMS电场传感器通用技术条件

适用范围 本标准规定了MEMS电场传感器(以下简称“传感器”)的原材料、结构组成、技术要求、试验项目和方法、检验规则、包装、存储和运输。 本标准适用于MEMS电场传感器的研制、生产和采购。其他类型的电场传感器可参照使用。 基本信息 标准号...

GB/T 35010.8-2018 半导体芯片产品 第8部分:数据交换的EXPRESS格式

适用范围 GB/T 35010的本部分用于指导半导体芯片产品的生产、供应和使用。其中半导体芯片产品包括:●〓晶圆;●〓单个裸芯片;●〓带有互连结构的芯片和晶圆;●〓最小或部分封装的芯片和晶圆。本部分规定了数据交换所需元素的EXPR...

GB/T 35010.6-2018 半导体芯片产品 第6部分:热仿真要求

适用范围 GB/T 35010的本部分用于指导半导体芯片产品的生产、供应和使用,半导体芯片产品包括:●〓晶圆;●〓单个裸芯片;●〓带有互连结构的芯片和晶圆;●〓最小或部分封装的芯片和晶圆。本部分规定了所需的热仿真信息,在于促进电子...

GB/T 35010.5-2018 半导体芯片产品 第5部分:电学仿真要求

适用范围 GB/T 35010的本部分用于指导半导体芯片产品的生产、供应和使用,半导体芯片产品包括:●〓晶圆;●〓单个裸芯片;●〓带有互连结构的芯片和晶圆;●〓最小或部分封装的芯片和晶圆。本部分规定了所需的电仿真信息,目的在于促进...

GB/T 35010.1-2018 半导体芯片产品 第1部分:采购和使用要求

适用范围 GB/T 35010的本部分用于指导半导体芯片产品的生产、供应和使用,半导体芯片产品包括:●〓晶圆;●〓单个裸芯片;●〓带有互连结构的芯片和晶圆;●〓小尺寸或部分封装的芯片和晶圆。本部分定义了此类芯片产品所需数据的最低要...

GB/T 35009-2018 串行NAND型快闪存储器接口规范

适用范围 本标准规定了串行与非(NAND)型快闪存储器(以下称为器件)的物理接口、存储阵列架构、指令定义和参数表说明等。本标准适用于串行NAND型快闪存储器的设计和使用。 基本信息 标准号:GB/T 35009-2018 标准名称:串行...

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